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电容器会随着时间的推移放电，因此会丢失存储的值它们不会定期刷新。这是由存储器刷新电路完成的，该电路负责重写电容器中的数据。此外，动态RAM的使用更加复杂，因为它需要比SRAM更精确的时序。 然而，这种简单的设计允许RAM芯片很小，因此这种类型的存储器主要用于现代计算机，智能手机，游戏机，以及通常在其他地方，小包装中需要大量相对便宜的内存。 静态随机存取存储器（SRAM） 与DRAM相比，SRAM使用晶体管代替电容来存储信息：  这种类型的存储器比DRAM更复杂，更大，更昂贵。但是，它也更快，不需要定期刷新。此外，它比DRAM使用更少的功率。这些正面特性使SRAM非常适合需要较少量的快速内存，例如CPU中的本地缓存。 非易失性RAM（NVRAM） DRAM和SRAM都是易失性的，这意味着它们不会永久存储数据，并且在未启动时会快速丢失存储的信息。今天，最常用的NVRAM类型是闪存，它通常用于替代计算机中的硬盘驱动器或作为嵌入式和移动设备上的主要存储介质。 这些优点是快速随机访问，更好的物理耐久性和小功耗。但是，它们只能擦除和重写一定次数。 DRAM与制造商的SRAM A DRAM比SRAM更小，更便宜，更容易构建。但是，它通常使用起来更慢，更复杂;它需要更精确的时序和额外的刷新电路。因此，SRAM通常是业余爱好者的最佳选择。这两种类型通常与并行输入和输出一起使用。
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